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一种隧道式连续烧结炉的输件炉道
摘要：本发明提供了一种CMOS器件和由其组成的反相器,特别是一种半导体器件的基础结构与运作原理.本发明CMOS器件的结构之中,CMOS器件的NMOS和PMOS元件在衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极的带电离子为相同型态,栅极沟道层与两侧的源极和漏极之间的隔离无需依靠PN节,可以更加有效的利用外加运作电压的电场效应,使用范围更广的掺杂离子浓度与介电质层厚度;能够以较低的运作电压达到所需的饱和电流,适用于制作更小,速度更快与密度更高的半导体元件.
申请(专利)号： CN200710040979.5
申请日期： 2007-05-21
公开/公告号： CN101312194A
公开/公告日期： 2008.11.26
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人：杨俊德
国省代号： CN310115
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