退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响

浏览：发布日期：2020-12-07 11:32:27【大中小】

作者：蒋百灵，李洪涛，蔡敏利，苗启林，杨波

摘要：基于金属诱导晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火试验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律。结果表明,Al诱导Si薄膜晶化的效果最好,Cu次之,Ni诱导Si薄膜晶化的效果较差;Al可在退火温度为400℃时诱导Si薄膜晶化,且随退火温度的升高Si的平均晶粒尺寸增大;Cu-Si薄膜的内应力较大和Ni-Si薄膜中Ni/Si界面处难以形成NiSi是Cu、Ni诱导Si薄膜晶化效果较差的主要原因。

关键词：硅薄膜；退火；晶化过程；扩散

退火温度

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退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响

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